Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RH7G04BBLFRATCB
RH7G04BBLFRATCB

RH7G04BBLFRATCB ROHM Semiconductor


Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Discrete Semiconductors, MOSFETs, Nch 40V 40A, DFN3333T8LSAB, Power MOSFET for Automotive
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RH7G04BBLFRATCB ROHM Semiconductor

Description: ROHM - RH7G04BBLFRATCB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 3200 µohm, WFDFN3333, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 75W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: WFDFN3333, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm.

Інші пропозиції RH7G04BBLFRATCB

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RH7G04BBLFRATCB RH7G04BBLFRATCB ROHM rh7g04bblfratcb-e.pdf Description: ROHM - RH7G04BBLFRATCB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 3200 µohm, WFDFN3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 75W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WFDFN3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RH7G04BBLFRATCB rh7g04bblfratcb-e.pdf
RH7G04BBLFRATCB
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RH7G04BBLFRATCB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 3200 µohm, WFDFN3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 75W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WFDFN3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.