Технічний опис RJK0346DPA00J0 RENESAS
Description: MOSFET N-CH 30V 65A 8WPAK, Power Dissipation (Max): 65W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 32.5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerWDFN, Packaging: Bulk, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7650 pF @ 10 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Supplier Device Package: 8-WPAK (3).
Інші пропозиції RJK0346DPA00J0
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| RJK0346DPA-00-J0 | Виробник : RENESAS | WPAK 08+ |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
RJK0346DPA-00#J0 | Виробник : Renesas Electronics America Inc |
Description: MOSFET N-CH 30V 65A 8WPAK Power Dissipation (Max): 65W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 32.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerWDFN Packaging: Bulk Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7650 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Supplier Device Package: 8-WPAK (3) |
товару немає в наявності |