RJK0348DPA-00#J0 Renesas Electronics America Inc
Виробник: Renesas Electronics America Inc
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Supplier Device Package: 8-WPAK
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 10 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 156+ | 150.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RJK0348DPA-00#J0 Renesas Electronics America Inc
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Supplier Device Package: 8-WPAK, Power Dissipation (Max): 55W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 25A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerWDFN, Packaging: Bulk, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 10 V.
Інші пропозиції RJK0348DPA-00#J0
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| RJK0348DPA-00-J0 |
на замовлення 189 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||
| RJK0348DPA00J0 | Виробник : RENESAS |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |