RJK6006DPP-A0#T2 Renesas Electronics Corporation
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 920mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Ta)
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 299.11 грн |
| 10+ | 190.13 грн |
| 100+ | 134.77 грн |
| 500+ | 104.29 грн |
| 1000+ | 97.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RJK6006DPP-A0#T2 Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 920mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 30W (Ta), Supplier Device Package: TO-220FP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V.
Інші пропозиції RJK6006DPP-A0#T2
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
RJK6006DPP-A0#T2 | Renesas Electronics |
MOSFETs POWER TRS1 HV-MOS TO220FP MOS AP5H POWER |
на замовлення 775 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| RJK6006DPP-A0#T2 |
|
Виробник: Renesas Electronics
MOSFETs POWER TRS1 HV-MOS TO220FP MOS AP5H POWER
MOSFETs POWER TRS1 HV-MOS TO220FP MOS AP5H POWER
на замовлення 775 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)