RJK6006DPP-A0#T2 Renesas Electronics
на замовлення 775 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 221.76 грн |
| 10+ | 217.75 грн |
| 25+ | 129.90 грн |
| 100+ | 117.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RJK6006DPP-A0#T2 Renesas Electronics
Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 920mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 30W (Ta), Supplier Device Package: TO-220FP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V.
Інші пропозиції RJK6006DPP-A0#T2 за ціною від 118.91 грн до 234.20 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RJK6006DPP-A0#T2 | Виробник : Renesas Electronics Corporation |
 Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220FPPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 920mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 30W (Ta) Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V |
на замовлення 1711 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|