RJL6020DPK-00#T0

RJL6020DPK-00#T0 Renesas Electronics Corporation


rjl6020dpk-datasheet
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO3P
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-3P
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RJL6020DPK-00#T0 Renesas Electronics Corporation

Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO3P, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 15A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Packaging: Tube, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: TO-3P, Power Dissipation (Max): 200W (Tc).

Інші пропозиції RJL6020DPK-00#T0

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RJL6020DPK-00#T0 Виробник : Renesas Electronics rej03g1618_rjl6020dpkds-1093262.pdf MOSFET MOSFET - Lead Free
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.