Продукція > RENESAS ELECTRONICS CORPORATION > RJP6085DPN-00#T2
RJP6085DPN-00#T2

RJP6085DPN-00#T2 Renesas Electronics Corporation

rjp6085dpn-datasheet
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: IGBT 600V 40A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-220AB
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 178.5 W
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+237.26 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RJP6085DPN-00#T2 Renesas Electronics Corporation

Description: IGBT 600V 40A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-220AB, Current - Collector (Ic) (Max): 40 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Power - Max: 178.5 W.

Інші пропозиції RJP6085DPN-00#T2

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RJP6085DPN-00#T2 Renesas Electronics REN_rej03g1863_rjp6085dpnds_DST_20091109-1999203.pdf IGBT Transistors Power Module - Lead Free
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJP6085DPN-00#T2 REN_rej03g1863_rjp6085dpnds_DST_20091109-1999203.pdf
Виробник: Renesas Electronics
IGBT Transistors Power Module - Lead Free
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.