RS2AHE3_A/I Vishay General Semiconductor
на замовлення 4824 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 35.02 грн |
| 12+ | 29.71 грн |
| 100+ | 17.98 грн |
| 500+ | 14.02 грн |
| 1000+ | 11.38 грн |
| 2500+ | 9.98 грн |
| 9600+ | 9.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RS2AHE3_A/I Vishay General Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 50V 1.5A DO214AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214AA, SMB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 150 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Supplier Device Package: DO-214AA (SMB), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Grade: Automotive, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1.5 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції RS2AHE3_A/I
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
RS2AHE3_A/I | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
 Description: DIODE GEN PURP 50V 1.5A DO214AAPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AA, SMB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AA (SMB) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |