Технічний опис RS2AHE3_A/I Vishay Semiconductors
Description: DIODE GEN PURP 50V 1.5A DO214AA, Supplier Device Package: DO-214AA (SMB), Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz, Technology: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 150 ns, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: DO-214AA, SMB, Packaging: Tape & Reel (TR), Qualification: AEC-Q101, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1.5 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V, Grade: Automotive, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C.
Інші пропозиції RS2AHE3_A/I
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
RS2AHE3_A/I | Vishay General Semiconductor |
 Rectifiers 1.5A, 50V, 150nS SMB, FS, GPP SM RECT |
на замовлення 4824 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| RS2AHE3_A/I |
|
Виробник: Vishay General Semiconductor
Rectifiers 1.5A, 50V, 150nS SMB, FS, GPP SM RECT
Rectifiers 1.5A, 50V, 150nS SMB, FS, GPP SM RECT
на замовлення 4824 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)