RS2BHE3_A/I Vishay General Semiconductor
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 31.78 грн |
| 12+ | 26.96 грн |
| 100+ | 16.32 грн |
| 500+ | 13.32 грн |
| 2500+ | 8.19 грн |
| 9600+ | 8.12 грн |
| 25600+ | 8.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RS2BHE3_A/I Vishay General Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 100V 1.5A DO214AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214AA, SMB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 150 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Supplier Device Package: DO-214AA (SMB), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1.5 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V.
Інші пропозиції RS2BHE3_A/I
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
RS2BHE3_A/I | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
 Description: DIODE GEN PURP 100V 1.5A DO214AAPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AA, SMB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AA (SMB) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V |
товар відсутній |
|
| RS2BHE3_A/I | Виробник : Vishay Semiconductors |
Rectifiers 1.5A, 100V, 150nS SMB, FS, GPP SM RECT |
товар відсутній |