RS7G200CGTB1 ROHM
Виробник: ROHMDescription: ROHM - RS7G200CGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 200 A, 640 µohm, DFN5060-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 216W
Bauform - Transistor: DFN5060-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 640µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 330.94 грн |
| 10+ | 230.78 грн |
| 100+ | 206.40 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RS7G200CGTB1 ROHM
Description: ROHM - RS7G200CGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 200 A, 640 µohm, DFN5060-8S, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 216W, Bauform - Transistor: DFN5060-8S, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 640µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції RS7G200CGTB1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
RS7G200CGTB1 | Виробник : ROHM Semiconductor | MOSFETs DFN5060 N-CH 40V 410A |
товару немає в наявності |