RSR015P06FRATL ROHM SEMICONDUCTOR


Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.5A; Idm: -6A; 1W; TSMT3
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Pulsed drain current: -6A
Drain current: -1.5A
Gate charge: 10nC
On-state resistance: 0.36Ω
Power dissipation: 1W
Gate-source voltage: ±20V
Case: TSMT3
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RSR015P06FRATL ROHM SEMICONDUCTOR

Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.5A; Idm: -6A; 1W; TSMT3, Mounting: SMD, Kind of channel: enhancement, Type of transistor: P-MOSFET, Kind of package: reel; tape, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -60V, Pulsed drain current: -6A, Drain current: -1.5A, Gate charge: 10nC, On-state resistance: 0.36Ω, Power dissipation: 1W, Gate-source voltage: ±20V, Case: TSMT3, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції RSR015P06FRATL

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RSR015P06FRATL Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.5A; Idm: -6A; 1W; TSMT3
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Pulsed drain current: -6A
Drain current: -1.5A
Gate charge: 10nC
On-state resistance: 0.36Ω
Power dissipation: 1W
Gate-source voltage: ±20V
Case: TSMT3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.