Продукція > RSS > RSS065N03TB1

RSS065N03TB1


Виробник:

на замовлення 1475 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RSS065N03TB1

Description: MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-SOP, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 10 V.

Інші пропозиції RSS065N03TB1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RSS065N03 TB1 Виробник : ROHM SOP-8 0813+
на замовлення 1219 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RSS065N03TB1 RSS065N03TB1 Виробник : Rohm Semiconductor Description: MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 10 V
товар відсутній