RUR040N02FRATL ROHM SEMICONDUCTOR


Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4A; Idm: 8A; 1W; TSMT3
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4A
On-state resistance: 0.11Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 8nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 8A
Case: TSMT3
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RUR040N02FRATL ROHM SEMICONDUCTOR

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4A; Idm: 8A; 1W; TSMT3, Mounting: SMD, Drain-source voltage: 20V, Drain current: 4A, On-state resistance: 0.11Ω, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 1W, Polarisation: unipolar, Kind of package: reel; tape, Gate charge: 8nC, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: ±10V, Pulsed drain current: 8A, Case: TSMT3, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції RUR040N02FRATL

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RUR040N02FRATL Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4A; Idm: 8A; 1W; TSMT3
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4A
On-state resistance: 0.11Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 8nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 8A
Case: TSMT3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.