S1M-E3/5AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.8 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7500+ | 2.71 грн |
| 15000+ | 2.51 грн |
| 22500+ | 2.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис S1M-E3/5AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: VISHAY - S1M-E3/5AT - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 1 A, Einfach, 1.1 V, 1.8 µs, 30 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-214AC (SMA), Durchlassstoßstrom: 30A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Durchlassspannung, max.: 1.1V, Sperrverzögerungszeit: 1.8µs, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: S1M-E, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 1kV, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (04-Feb-2026).
Інші пропозиції S1M-E3/5AT за ціною від 2.11 грн до 30.63 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
S1M-E3/5AT | Виробник : Vishay |
Diode Switching 1KV 1A 2-Pin SMA T/R |
на замовлення 5190000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
S1M-E3/5AT | Виробник : Vishay |
Diode Switching 1KV 1A 2-Pin SMA T/R |
на замовлення 5190000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
S1M-E3/5AT | Виробник : Vishay |
Diode Switching 1KV 1A 2-Pin SMA T/R |
на замовлення 202500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
S1M-E3/5AT | Виробник : Vishay |
Diode Switching 1KV 1A 2-Pin SMA T/R |
на замовлення 202500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
S1M-E3/5AT | Виробник : Vishay |
Diode Switching 1KV 1A 2-Pin SMA T/R |
на замовлення 14551 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
S1M-E3/5AT | Виробник : Vishay |
Diode Switching 1KV 1A 2-Pin SMA T/R |
на замовлення 468 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
S1M-E3/5AT | Виробник : VISHAY |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1A; 1.8us; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.1V Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1kV Load current: 1A Reverse recovery time: 1.8µs Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching Case: DO214AC; SMA Max. forward voltage: 1.1V Max. forward impulse current: 30A Kind of package: 13 inch reel Quantity in set/package: 7500pcs. Capacitance: 12pF |
на замовлення 14551 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
S1M-E3/5AT | Виробник : Vishay |
Diode Switching 1KV 1A 2-Pin SMA T/R |
на замовлення 4460 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
S1M-E3/5AT | Виробник : Vishay |
Diode Switching 1KV 1A 2-Pin SMA T/R |
на замовлення 14940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
S1M-E3/5AT | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 1.8 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V |
на замовлення 35045 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
S1M-E3/5AT | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - S1M-E3/5AT - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 1 A, Einfach, 1.1 V, 1.8 µs, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1.1V Sperrverzögerungszeit: 1.8µs usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: S1M-E productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 1kV Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (04-Feb-2026) |
на замовлення 223374 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
S1M-E3/5AT | Виробник : Vishay Semiconductors |
Rectifiers 1.0 Amp 1000 Volt 30A IFSM @ 8.3ms |
на замовлення 5470 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
S1M-E3/5AT | Виробник : Vishay |
Diode Switching 1KV 1A 2-Pin SMA T/R |
на замовлення 14940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
| S1M-E3/5AT | Виробник : Vishay General Semiconduc |
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||||
| S1M-E3/5AT- | Виробник : Vishay | Rectifiers |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||||
|
|
S1M-E3\5AT | Виробник : Vishay Semiconductors | Rectifiers 1A,1000V,GPP,SM RECT |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
|
|
S1M-E3/5AT | Виробник : Vishay |
Diode Switching 1KV 1A 2-Pin SMA T/R |
товару немає в наявності |