Продукція > SMC DIODE SOLUTIONS > S1M1000170J
S1M1000170J

S1M1000170J SMC DIODE SOLUTIONS

S1M1000170J.pdf
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 4.1A; Idm: 15A; 100W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 4.1A
Power dissipation: 100W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 1.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 15A
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Kind of package: tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+234.82 грн
3+196.24 грн
10+170.25 грн
50+155.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 14-30 дні (днів)
Мінімальна партія: 2 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис S1M1000170J SMC DIODE SOLUTIONS

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 4.1A; Idm: 15A; 100W, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: SiC, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 1.7kV, Drain current: 4.1A, Power dissipation: 100W, Case: D2PAK-7, Gate-source voltage: -5...20V, On-state resistance: 1.9Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 10nC, Kind of channel: enhancement, Pulsed drain current: 15A, Features of semiconductor devices: Kelvin terminal, Kind of package: tube.