S1M1000170J SMC DIODE SOLUTIONS
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 4.1A; Idm: 15A; 100W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 4.1A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 100W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 1.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: SiC
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 220.94 грн |
| 3+ | 184.72 грн |
| 6+ | 171.36 грн |
| 10+ | 160.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис S1M1000170J SMC DIODE SOLUTIONS
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 4.1A; Idm: 15A; 100W, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 1.7kV, Drain current: 4.1A, Pulsed drain current: 15A, Power dissipation: 100W, Case: D2PAK-7, Gate-source voltage: -5...20V, On-state resistance: 1.9Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 10nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Features of semiconductor devices: Kelvin terminal, Technology: SiC, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції S1M1000170J за ціною від 186.76 грн до 265.13 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
S1M1000170J | Виробник : SMC DIODE SOLUTIONS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 4.1A; Idm: 15A; 100W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.7kV Drain current: 4.1A Pulsed drain current: 15A Power dissipation: 100W Case: D2PAK-7 Gate-source voltage: -5...20V On-state resistance: 1.9Ω Mounting: SMD Gate charge: 10nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Technology: SiC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 40 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
S1M1000170J | Виробник : SMC DIODE SOLUTIONS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 4.1A; Idm: 15A; 100W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.7kV Drain current: 4.1A Pulsed drain current: 15A Power dissipation: 100W Case: D2PAK-7 Gate-source voltage: -5...20V On-state resistance: 1.9Ω Mounting: SMD Gate charge: 10nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Technology: SiC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 40 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|