Продукція > SMC DIODE SOLUTIONS > S1M1000170K
S1M1000170K

S1M1000170K SMC DIODE SOLUTIONS


Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 3.7A; Idm: 15A; 81W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 3.7A
Power dissipation: 81W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 1.9Ω
Mounting: THT
Gate charge: 10nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 15A
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Kind of package: tube
на замовлення 302 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+323.33 грн
10+210.50 грн
30+196.24 грн
150+175.28 грн
300+166.89 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 14-30 дні (днів)
Мінімальна партія: 2 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис S1M1000170K SMC DIODE SOLUTIONS

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 3.7A; Idm: 15A; 81W, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: SiC, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 1.7kV, Drain current: 3.7A, Power dissipation: 81W, Case: TO247-4, Gate-source voltage: -5...20V, On-state resistance: 1.9Ω, Mounting: THT, Gate charge: 10nC, Kind of channel: enhancement, Pulsed drain current: 15A, Features of semiconductor devices: Kelvin terminal, Kind of package: tube.