
S2M0016120D SMC DIODE SOLUTIONS

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 140A; Idm: 314A; 714W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 140A
Pulsed drain current: 314A
Power dissipation: 714W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 224nC
Technology: SiC
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1146.18 грн |
3+ | 1006.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис S2M0016120D SMC DIODE SOLUTIONS
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 140A; Idm: 314A; 714W, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 1.2kV, Drain current: 140A, Pulsed drain current: 314A, Power dissipation: 714W, Case: TO247-3, Gate-source voltage: -5...20V, On-state resistance: 16mΩ, Mounting: THT, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Gate charge: 224nC, Technology: SiC, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції S2M0016120D за ціною від 1161.15 грн до 1375.41 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
S2M0016120D | Виробник : SMC DIODE SOLUTIONS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 140A; Idm: 314A; 714W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 140A Pulsed drain current: 314A Power dissipation: 714W Case: TO247-3 Gate-source voltage: -5...20V On-state resistance: 16mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 224nC Technology: SiC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 11 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|