S2M0016120D

S2M0016120D SMC DIODE SOLUTIONS


pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE94F25858309660D5&compId=S2M0016120D.pdf?ci_sign=579ac64a1cb71a315f60ceaa76f266d2c8464320 Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 140A; Idm: 314A; 714W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 140A
Pulsed drain current: 314A
Power dissipation: 714W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 224nC
Technology: SiC
на замовлення 11 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1146.18 грн
3+1006.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис S2M0016120D SMC DIODE SOLUTIONS

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 140A; Idm: 314A; 714W, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 1.2kV, Drain current: 140A, Pulsed drain current: 314A, Power dissipation: 714W, Case: TO247-3, Gate-source voltage: -5...20V, On-state resistance: 16mΩ, Mounting: THT, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Gate charge: 224nC, Technology: SiC, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції S2M0016120D за ціною від 1161.15 грн до 1375.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
S2M0016120D S2M0016120D Виробник : SMC DIODE SOLUTIONS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE94F25858309660D5&compId=S2M0016120D.pdf?ci_sign=579ac64a1cb71a315f60ceaa76f266d2c8464320 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 140A; Idm: 314A; 714W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 140A
Pulsed drain current: 314A
Power dissipation: 714W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 224nC
Technology: SiC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1375.41 грн
3+1253.80 грн
25+1161.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.