S2M0080120D SMC Diode Solutions
Виробник: SMC Diode SolutionsDescription: MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247AD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1324 pF @ 1000 V
на замовлення 276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1130.85 грн |
| 10+ | 959.68 грн |
| 100+ | 829.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис S2M0080120D SMC Diode Solutions
Description: MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V, Power Dissipation (Max): 231W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA, Supplier Device Package: TO-247AD, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): +25V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1324 pF @ 1000 V.
Інші пропозиції S2M0080120D за ціною від 784.42 грн до 1303.29 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| S2M0080120D | Виробник : SMC DIODE SOLUTIONS |
S2M0080120D-SMC THT N channel transistors |
на замовлення 20 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|