S2M0120120J SMC Diode Solutions
Виробник: SMC Diode SolutionsDescription: MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 13.3A, 20V
Power Dissipation (Max): 153W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 3.3mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.6 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 652 pF @ 1000 V
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 533.50 грн |
| 10+ | 364.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис S2M0120120J SMC Diode Solutions
Description: MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 13.3A, 20V, Power Dissipation (Max): 153W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 3.3mA, Supplier Device Package: TO-263-7, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): +20V, -5V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.6 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 652 pF @ 1000 V.
Інші пропозиції S2M0120120J
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| S2M0120120J | Виробник : SMC DIODE SOLUTIONS |
S2M0120120J-SMC THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
||
| S2M0120120J | Виробник : SMC DIODE SOLUTIONS |
S2M0120120JTR-SMC SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |