Продукція > SMC DIODE SOLUTIONS > S2M0160120J
S2M0160120J
  • S2M0160120J
  • S2M0160120J

S2M0160120J SMC DIODE SOLUTIONS

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD085D83CA32ED9A0DC&compId=S2M0160120J.pdf?ci_sign=bfe766042ca148970dd205a49d27a46bb24dad10 Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 11A; Idm: 40A; 122W
Mounting: SMD
Technology: SiC
Case: D2PAK-7
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...20V
Gate charge: 26.5nC
On-state resistance: 0.3Ω
Power dissipation: 122W
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 40A
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of package: tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+423.20 грн
10+268.88 грн
50+243.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис S2M0160120J SMC DIODE SOLUTIONS

Description: MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 10A, 20V, Power Dissipation (Max): 122W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA, Supplier Device Package: TO-263-7, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): +20V, -5V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.5 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 513 pF @ 1000 V.

Інші пропозиції S2M0160120J за ціною від 246.28 грн до 507.84 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
S2M0160120J
+1
 		S2M0160120J Виробник : SMC DIODE SOLUTIONS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD085D83CA32ED9A0DC&compId=S2M0160120J.pdf?ci_sign=bfe766042ca148970dd205a49d27a46bb24dad10 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 11A; Idm: 40A; 122W
Mounting: SMD
Technology: SiC
Case: D2PAK-7
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...20V
Gate charge: 26.5nC
On-state resistance: 0.3Ω
Power dissipation: 122W
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 40A
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+507.84 грн
10+335.06 грн
50+292.11 грн
100+276.83 грн
250+259.65 грн
500+246.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S2M0160120J S2M0160120J Виробник : SMC Diode Solutions S2M0160120J%20N2684%20REV.A.pdf Description: MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 10A, 20V
Power Dissipation (Max): 122W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.5 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 513 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.