Продукція > VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION > S2MHE3_A/H
S2MHE3_A/H

S2MHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division

s2a.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1.5A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 16pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
750+9.06 грн
1500+7.91 грн
2250+7.49 грн
Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис S2MHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE GEN PURP 1KV 1.5A DO214AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214AA, SMB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 2 µs, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 16pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Supplier Device Package: DO-214AA (SMB), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Grade: Automotive, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції S2MHE3_A/H за ціною від 6.96 грн до 46.29 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
S2MHE3_A/H S2MHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division s2a.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 1.5A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 16pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.12 грн
17+17.69 грн
100+11.95 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S2MHE3_A/H S2MHE3_A/H Vishay Semiconductors s2a.pdf Rectifiers 1.5A, 1000V, SMB GPP, STD, SM RECT
на замовлення 1870 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+46.29 грн
12+28.04 грн
100+15.64 грн
500+11.30 грн
750+9.64 грн
2250+7.03 грн
4500+6.96 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S2MHE3_A/H s2a.pdf
S2MHE3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1.5A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 16pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
12+27.12 грн
17+17.69 грн
100+11.95 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S2MHE3_A/H s2a.pdf
S2MHE3_A/H
Виробник: Vishay Semiconductors
Rectifiers 1.5A, 1000V, SMB GPP, STD, SM RECT
на замовлення 1870 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
7+46.29 грн
12+28.04 грн
100+15.64 грн
500+11.30 грн
750+9.64 грн
2250+7.03 грн
4500+6.96 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.