Продукція > VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION > S2MHE3_A/I
S2MHE3_A/I

S2MHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division

s2a.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1.5A DO214AA
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Capacitance @ Vr, F: 16pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AA, SMB
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3200+7.43 грн
Мінімальне замовлення: 3200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис S2MHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE GEN PURP 1KV 1.5A DO214AA, Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Supplier Device Package: DO-214AA (SMB), Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Capacitance @ Vr, F: 16pF @ 4V, 1MHz, Technology: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 2 µs, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: DO-214AA, SMB, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції S2MHE3_A/I за ціною від 7.86 грн до 46.29 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
S2MHE3_A/I S2MHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division s2a.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 1.5A DO214AA
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Capacitance @ Vr, F: 16pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AA, SMB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.12 грн
17+17.69 грн
100+11.95 грн
500+8.70 грн
1000+7.86 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S2MHE3_A/I S2MHE3_A/I Vishay Semiconductors s2a.pdf Rectifiers 1.5A, 1000V, SMB GPP, STD, SM RECT
на замовлення 5688 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+46.29 грн
12+28.04 грн
100+15.64 грн
500+11.85 грн
1000+10.61 грн
3200+8.95 грн
6400+8.89 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S2MHE3_A/I s2a.pdf
S2MHE3_A/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1.5A DO214AA
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Capacitance @ Vr, F: 16pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AA, SMB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
12+27.12 грн
17+17.69 грн
100+11.95 грн
500+8.70 грн
1000+7.86 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S2MHE3_A/I s2a.pdf
S2MHE3_A/I
Виробник: Vishay Semiconductors
Rectifiers 1.5A, 1000V, SMB GPP, STD, SM RECT
на замовлення 5688 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
7+46.29 грн
12+28.04 грн
100+15.64 грн
500+11.85 грн
1000+10.61 грн
3200+8.95 грн
6400+8.89 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.