S3D10065I

S3D10065I SMC DIODE SOLUTIONS


S3D10065x.pdf Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220ISO; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220ISO
Max. forward voltage: 2.4V
Max. forward impulse current: 102A
Kind of package: tube
на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+213.23 грн
7+136.84 грн
18+129.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис S3D10065I SMC DIODE SOLUTIONS

Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2 Isolated Tab, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 621pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 10A, Supplier Device Package: TO-220-Isolation, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V.

Інші пропозиції S3D10065I за ціною від 151.37 грн до 309.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
S3D10065I S3D10065I Виробник : SMC DIODE SOLUTIONS S3D10065x.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220ISO; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220ISO
Max. forward voltage: 2.4V
Max. forward impulse current: 102A
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+255.88 грн
7+170.53 грн
18+155.04 грн
1000+151.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
S3D10065I S3D10065I Виробник : SMC Diode Solutions S3D10065A%20S3D10065F%20S3D10065E%20S3D10065G%20S3D10065I%20S3D10065D1%20N2289%20REV.A.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 621pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220-Isolation
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
на замовлення 906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+309.62 грн
10+267.42 грн
100+219.13 грн
500+175.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.