S3D50065D1

S3D50065D1 SMC DIODE SOLUTIONS


S3D50065D1.pdf Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 50A; TO247-3,TO247AD
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 2.4V
Load current: 50A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 209A
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Case: TO247-3; TO247AD
на замовлення 24 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+282.39 грн
5+193.42 грн
13+183.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис S3D50065D1 SMC DIODE SOLUTIONS

Description: DIODE SIL CARB 650V 112A TO247AD, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 3100pF @ 0V, 100MHz, Current - Average Rectified (Io): 112A, Supplier Device Package: TO-247AD, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 50 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V.

Інші пропозиції S3D50065D1 за ціною від 211.00 грн до 684.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
S3D50065D1 S3D50065D1 Виробник : SMC DIODE SOLUTIONS S3D50065D1.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 50A; TO247-3,TO247AD
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 2.4V
Load current: 50A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 209A
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Case: TO247-3; TO247AD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+338.87 грн
5+241.03 грн
13+220.17 грн
300+211.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S3D50065D1 S3D50065D1 Виробник : SMC Diode Solutions S3D50065D1%20N2450%20REV.-.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 112A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 3100pF @ 0V, 100MHz
Current - Average Rectified (Io): 112A
Supplier Device Package: TO-247AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+684.33 грн
25+473.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.