S3M0016120B SMC DIODE SOLUTIONS


pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD085D842849E7460DC&compId=S3M0016120B.pdf?ci_sign=073cb6da594d99e848fb2d0c639a666778530f76 Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 75A; Idm: 250A; 576W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 576W
Case: T2PAK
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 287nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+834.36 грн
2+662.88 грн
4+626.10 грн
10+617.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис S3M0016120B SMC DIODE SOLUTIONS

Description: MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 75A, 18V, Power Dissipation (Max): 576W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30mA, Supplier Device Package: TO-263-7, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +22V, -8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 287 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5251 pF @ 1000 V.

Інші пропозиції S3M0016120B за ціною від 722.81 грн до 1001.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
S3M0016120B Виробник : SMC DIODE SOLUTIONS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD085D842849E7460DC&compId=S3M0016120B.pdf?ci_sign=073cb6da594d99e848fb2d0c639a666778530f76 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 75A; Idm: 250A; 576W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 576W
Case: T2PAK
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 287nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1001.23 грн
2+826.05 грн
4+751.32 грн
10+741.20 грн
35+722.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S3M0016120B S3M0016120B Виробник : SMC Diode Solutions S3M0016120B%20N2823%20REV.-.pdf Description: MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 75A, 18V
Power Dissipation (Max): 576W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 287 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5251 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.