Продукція > SMC DIODE SOLUTIONS > S3M0016120D
S3M0016120D

S3M0016120D SMC DIODE SOLUTIONS

Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 732W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 85A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 732W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 287nC
Technology: SiC
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+841.43 грн
2+650.85 грн
4+615.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис S3M0016120D SMC DIODE SOLUTIONS

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 732W, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 1.2kV, Drain current: 85A, Pulsed drain current: 250A, Power dissipation: 732W, Case: TO247-3, Gate-source voltage: -4...18V, On-state resistance: 25mΩ, Mounting: THT, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Gate charge: 287nC, Technology: SiC, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції S3M0016120D за ціною від 710.27 грн до 1009.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
S3M0016120D S3M0016120D Виробник : SMC DIODE SOLUTIONS Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 732W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 85A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 732W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 287nC
Technology: SiC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1009.72 грн
2+811.05 грн
4+738.57 грн
30+710.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.