S3M0016120D SMC DIODE SOLUTIONS
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 732W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 85A
Power dissipation: 732W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 287nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 250A
Kind of package: tube
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1079.57 грн |
| 3+ | 900.72 грн |
| 10+ | 794.02 грн |
| 30+ | 717.93 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
14-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис S3M0016120D SMC DIODE SOLUTIONS
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 732W, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: SiC, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 1.2kV, Drain current: 85A, Power dissipation: 732W, Case: TO247-3, Gate-source voltage: -4...18V, On-state resistance: 16mΩ, Mounting: THT, Gate charge: 287nC, Kind of channel: enhancement, Pulsed drain current: 250A, Kind of package: tube.