Продукція > SMC DIODE SOLUTIONS > S3M0016120K
S3M0016120K

S3M0016120K SMC DIODE SOLUTIONS


Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 732W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 85A
Power dissipation: 732W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 287nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 250A
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Kind of package: tube
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+873.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 14-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис S3M0016120K SMC DIODE SOLUTIONS

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 732W, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: SiC, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 1.2kV, Drain current: 85A, Power dissipation: 732W, Case: TO247-4, Gate-source voltage: -4...18V, On-state resistance: 25mΩ, Mounting: THT, Gate charge: 287nC, Kind of channel: enhancement, Pulsed drain current: 250A, Features of semiconductor devices: Kelvin terminal, Kind of package: tube.