S3M0025120B SMC DIODE SOLUTIONS
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 52A; Idm: 200A; 394W
Mounting: SMD
Power dissipation: 394W
Gate charge: 175nC
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 52A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -4...18V
Kind of package: tube
Case: T2PAK
On-state resistance: 36mΩ
Pulsed drain current: 200A
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 978.02 грн |
| 3+ | 814.70 грн |
| 10+ | 722.06 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
14-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис S3M0025120B SMC DIODE SOLUTIONS
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 52A; Idm: 200A; 394W, Mounting: SMD, Power dissipation: 394W, Gate charge: 175nC, Polarisation: unipolar, Technology: SiC, Features of semiconductor devices: Kelvin terminal, Drain current: 52A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 1.2kV, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: -4...18V, Kind of package: tube, Case: T2PAK, On-state resistance: 36mΩ, Pulsed drain current: 200A.
Інші пропозиції S3M0025120B
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
S3M0025120B | SMC Diode Solutions |
Description: MOSFETS SILICON CARBIDES 1200V 2 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| S3M0025120B |
|
Виробник: SMC Diode Solutions
Description: MOSFETS SILICON CARBIDES 1200V 2
Description: MOSFETS SILICON CARBIDES 1200V 2
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.