Продукція > SMC DIODE SOLUTIONS > S3M0040120B
S3M0040120B

S3M0040120B SMC DIODE SOLUTIONS

S3M0040120B.pdf
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 40A; Idm: 200A; 333W
Mounting: SMD
Power dissipation: 333W
Gate charge: 143nC
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 40A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -4...18V
Kind of package: tube
Case: T2PAK
On-state resistance: 50mΩ
Pulsed drain current: 200A
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+389.23 грн
3+324.60 грн
10+286.92 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис S3M0040120B SMC DIODE SOLUTIONS

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 40A; Idm: 200A; 333W, Mounting: SMD, Power dissipation: 333W, Gate charge: 143nC, Polarisation: unipolar, Technology: SiC, Features of semiconductor devices: Kelvin terminal, Drain current: 40A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 1.2kV, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: -4...18V, Kind of package: tube, Case: T2PAK, On-state resistance: 50mΩ, Pulsed drain current: 200A.