S3M0040120B

S3M0040120B SMC DIODE SOLUTIONS


pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD085D8530AE491A0DC&compId=S3M0040120B.pdf?ci_sign=0302a434516c7a13f16845c2c9787f902ba5f50b Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 40A; Idm: 200A; 333W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 333W
Case: T2PAK
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 143nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: SiC
на замовлення 35 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+379.54 грн
3+317.26 грн
4+284.39 грн
9+268.34 грн
35+258.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис S3M0040120B SMC DIODE SOLUTIONS

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 40A; Idm: 200A; 333W, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 1.2kV, Drain current: 40A, Pulsed drain current: 200A, Power dissipation: 333W, Case: T2PAK, Gate-source voltage: -4...18V, On-state resistance: 50mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 143nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Features of semiconductor devices: Kelvin terminal, Technology: SiC, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції S3M0040120B за ціною від 310.08 грн до 455.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
S3M0040120B S3M0040120B Виробник : SMC DIODE SOLUTIONS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD085D8530AE491A0DC&compId=S3M0040120B.pdf?ci_sign=0302a434516c7a13f16845c2c9787f902ba5f50b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 40A; Idm: 200A; 333W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 333W
Case: T2PAK
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 143nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: SiC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+455.45 грн
3+395.36 грн
4+341.27 грн
9+322.00 грн
35+310.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.