S3M0040120B SMC DIODE SOLUTIONS
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 40A; Idm: 200A; 333W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 40A
Power dissipation: 333W
Case: T2PAK
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 143nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Pulsed drain current: 200A
Kind of package: tube
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 381.23 грн |
| 3+ | 318.44 грн |
| 10+ | 281.22 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
14-30 дні (днів)
Мінімальна партія:
2 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис S3M0040120B SMC DIODE SOLUTIONS
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 40A; Idm: 200A; 333W, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: SiC, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 1.2kV, Drain current: 40A, Power dissipation: 333W, Case: T2PAK, Gate-source voltage: -4...18V, On-state resistance: 50mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 143nC, Kind of channel: enhancement, Features of semiconductor devices: Kelvin terminal, Pulsed drain current: 200A, Kind of package: tube.