Продукція > SEMIKRON DANFOSS > SEMIX126DGL22P 27896300

SEMIX126DGL22P 27896300 SEMIKRON DANFOSS


Виробник: SEMIKRON DANFOSS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 2.2kV
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: boost chopper; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 2.2kV
Case: SEMiX® 6p
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SEMIX126DGL22P 27896300 SEMIKRON DANFOSS

Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 2.2kV, Type of module: IGBT, Semiconductor structure: diode/transistor, Topology: boost chopper; three-phase diode bridge, Max. off-state voltage: 2.2kV, Case: SEMiX® 6p, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції SEMIX126DGL22P 27896300

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SEMIX126DGL22P 27896300 Виробник : SEMIKRON DANFOSS Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 2.2kV
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: boost chopper; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 2.2kV
Case: SEMiX® 6p
товар відсутній