SEMIX202GB12VS 27890111 SEMIKRON DANFOSS
Виробник: SEMIKRON DANFOSSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Case: SEMIX2S
Application: for UPS; Inverter; photovoltaics
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge; thermistor
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: Press-Fit; screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 200A
Pulsed collector current: 600A
Max. off-state voltage: 1.2kV
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 10570.34 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SEMIX202GB12VS 27890111 SEMIKRON DANFOSS
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A, Case: SEMIX2S, Application: for UPS; Inverter; photovoltaics, Type of semiconductor module: IGBT, Topology: IGBT half-bridge; thermistor, Mechanical mounting: screw, Electrical mounting: Press-Fit; screw, Semiconductor structure: transistor/transistor, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 200A, Pulsed collector current: 600A, Max. off-state voltage: 1.2kV, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції SEMIX202GB12VS 27890111 за ціною від 11846.50 грн до 12684.41 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SEMIX202GB12VS 27890111 | Виробник : SEMIKRON DANFOSS |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A Case: SEMIX2S Application: for UPS; Inverter; photovoltaics Type of semiconductor module: IGBT Topology: IGBT half-bridge; thermistor Mechanical mounting: screw Electrical mounting: Press-Fit; screw Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 200A Pulsed collector current: 600A Max. off-state voltage: 1.2kV кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 6 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|