Продукція > SEM > SEMIX404GB12E4S

SEMIX404GB12E4S



Виробник:

на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SEMIX404GB12E4S

Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 400A, Type of semiconductor module: IGBT, Semiconductor structure: transistor/transistor, Topology: IGBT half-bridge; thermistor, Max. off-state voltage: 1.2kV, Collector current: 400A, Case: SEMiX® 4s, Application: for UPS; Inverter; photovoltaics, Electrical mounting: Press-Fit; screw, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 1.2kA, Mechanical mounting: screw.

Інші пропозиції SEMIX404GB12E4S

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SEMIX404GB12E4S 27890170 SEMIKRON DANFOSS SEMIX404GB12E4S.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 400A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge; thermistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 400A
Case: SEMiX® 4s
Application: for UPS; Inverter; photovoltaics
Electrical mounting: Press-Fit; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 1.2kA
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SEMIX404GB12E4S 27890170 SEMIX404GB12E4S.pdf
Виробник: SEMIKRON DANFOSS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 400A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge; thermistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 400A
Case: SEMiX® 4s
Application: for UPS; Inverter; photovoltaics
Electrical mounting: Press-Fit; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 1.2kA
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.