Продукція > SEMIKRON DANFOSS > SEMIX453GM12E4P 27895064

SEMIX453GM12E4P 27895064 SEMIKRON DANFOSS


pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB6DC72745FCD60D6&compId=SEMIX453GM12E4P.pdf?ci_sign=53d5d93e2803bb6fc7e43a1d202103e8065a89c8 Виробник: SEMIKRON DANFOSS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor,common emitter; IGBT x2
Application: for UPS; Inverter; photovoltaics
Electrical mounting: Press-Fit; screw
Mechanical mounting: screw
Topology: IGBT x2; thermistor
Type of semiconductor module: IGBT
Case: SEMiX® 3p
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: common emitter; transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 450A
Pulsed collector current: 1.35kA
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SEMIX453GM12E4P 27895064 SEMIKRON DANFOSS

Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; transistor/transistor,common emitter; IGBT x2, Application: for UPS; Inverter; photovoltaics, Electrical mounting: Press-Fit; screw, Mechanical mounting: screw, Topology: IGBT x2; thermistor, Type of semiconductor module: IGBT, Case: SEMiX® 3p, Max. off-state voltage: 1.2kV, Semiconductor structure: common emitter; transistor/transistor, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 450A, Pulsed collector current: 1.35kA, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції SEMIX453GM12E4P 27895064

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SEMIX453GM12E4P 27895064 Виробник : SEMIKRON DANFOSS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB6DC72745FCD60D6&compId=SEMIX453GM12E4P.pdf?ci_sign=53d5d93e2803bb6fc7e43a1d202103e8065a89c8 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor,common emitter; IGBT x2
Application: for UPS; Inverter; photovoltaics
Electrical mounting: Press-Fit; screw
Mechanical mounting: screw
Topology: IGBT x2; thermistor
Type of semiconductor module: IGBT
Case: SEMiX® 3p
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: common emitter; transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 450A
Pulsed collector current: 1.35kA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.