SEMIX603GAL12E4P 27895020 SEMIKRON DANFOSS
Виробник: SEMIKRON DANFOSS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: boost chopper
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: SEMiX® 3p
кількість в упаковці: 1 шт
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: boost chopper
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: SEMiX® 3p
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SEMIX603GAL12E4P 27895020 SEMIKRON DANFOSS
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV, Type of module: IGBT, Semiconductor structure: diode/transistor, Topology: boost chopper, Max. off-state voltage: 1.2kV, Case: SEMiX® 3p, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції SEMIX603GAL12E4P 27895020
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| SEMIX603GAL12E4P 27895020 | Виробник : SEMIKRON DANFOSS |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV Type of module: IGBT Semiconductor structure: diode/transistor Topology: boost chopper Max. off-state voltage: 1.2kV Case: SEMiX® 3p |
товар відсутній |