SEMIX71GD12E4S 27890190 SEMIKRON DANFOSS
Виробник: SEMIKRON DANFOSS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT three-phase bridge; thermistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 75A
Case: SEMIX®13
Application: for UPS; Inverter; photovoltaics
Electrical mounting: Press-Fit; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mechanical mounting: screw
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 10958.46 грн |
| 3+ | 8987.31 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
14-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SEMIX71GD12E4S 27890190 SEMIKRON DANFOSS
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge, Type of semiconductor module: IGBT, Semiconductor structure: transistor/transistor, Topology: IGBT three-phase bridge; thermistor, Max. off-state voltage: 1.2kV, Collector current: 75A, Case: SEMIX®13, Application: for UPS; Inverter; photovoltaics, Electrical mounting: Press-Fit; screw, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 225A, Mechanical mounting: screw.