SEMIX71GD12E4S 27890190 SEMIKRON DANFOSS
Виробник: SEMIKRON DANFOSSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Topology: IGBT three-phase bridge; thermistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 225A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: Press-Fit; screw
Application: for UPS; Inverter; photovoltaics
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Case: SEMIX®13
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 9300.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SEMIX71GD12E4S 27890190 SEMIKRON DANFOSS
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge, Topology: IGBT three-phase bridge; thermistor, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 75A, Pulsed collector current: 225A, Max. off-state voltage: 1.2kV, Semiconductor structure: transistor/transistor, Electrical mounting: Press-Fit; screw, Application: for UPS; Inverter; photovoltaics, Type of semiconductor module: IGBT, Mechanical mounting: screw, Case: SEMIX®13, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції SEMIX71GD12E4S 27890190 за ціною від 11160.31 грн до 11160.31 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SEMIX71GD12E4S 27890190 | Виробник : SEMIKRON DANFOSS |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge Topology: IGBT three-phase bridge; thermistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 75A Pulsed collector current: 225A Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: transistor/transistor Electrical mounting: Press-Fit; screw Application: for UPS; Inverter; photovoltaics Type of semiconductor module: IGBT Mechanical mounting: screw Case: SEMIX®13 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 6 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|