Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції SEMiX904GB126HDS за ціною від 32380.26 грн до 39748.11 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
  |
SEMIX904GB126HDS 27890720 | SEMIKRON DANFOSS |
 Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 600A Electrical mounting: Press-Fit; screw Type of semiconductor module: IGBT Mechanical mounting: screw Pulsed collector current: 1.2kA Application: for UPS; Inverter; photovoltaics Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: transistor/transistor Case: SEMiX® 4s Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 600A Topology: IGBT half-bridge; thermistor |
на замовлення 2 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
| SEMIX904GB126HDS 27890720 |
|
Виробник: SEMIKRON DANFOSS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 600A
Electrical mounting: Press-Fit; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 1.2kA
Application: for UPS; Inverter; photovoltaics
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: SEMiX® 4s
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 600A
Topology: IGBT half-bridge; thermistor
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 600A
Electrical mounting: Press-Fit; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 1.2kA
Application: for UPS; Inverter; photovoltaics
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: SEMiX® 4s
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 600A
Topology: IGBT half-bridge; thermistor
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 39748.11 грн |
| 2+ | 32380.26 грн |