SG40T120UDB2

SG40T120UDB2 SIRECTIFIER


pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD095B36CB438BB80E1&compId=_Catalogue_2025-2027.pdf?ci_sign=0521c64f0236608145bd4af58e686dc01d33724b pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBB9BF8B6C95C080C7&compId=SG40T120UDB.pdf?ci_sign=5cae59c194c4f682046cdbb1022e7ca3be70b96d Виробник: SIRECTIFIER
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 280W; TO247AD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AD
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 109ns
Turn-off time: 338ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 46 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+248.06 грн
5+207.23 грн
6+185.71 грн
14+175.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SG40T120UDB2 SIRECTIFIER

Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 280W; TO247AD, Type of transistor: IGBT, Collector-emitter voltage: 1.2kV, Collector current: 40A, Power dissipation: 280W, Case: TO247AD, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 180A, Mounting: THT, Gate charge: 230nC, Kind of package: tube, Turn-on time: 109ns, Turn-off time: 338ns, Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції SG40T120UDB2 за ціною від 201.81 грн до 297.67 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SG40T120UDB2 SG40T120UDB2 Виробник : SIRECTIFIER pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD095B36CB438BB80E1&compId=_Catalogue_2025-2027.pdf?ci_sign=0521c64f0236608145bd4af58e686dc01d33724b pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBB9BF8B6C95C080C7&compId=SG40T120UDB.pdf?ci_sign=5cae59c194c4f682046cdbb1022e7ca3be70b96d Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 280W; TO247AD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AD
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 109ns
Turn-off time: 338ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+297.67 грн
5+258.24 грн
6+222.85 грн
14+210.41 грн
60+201.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.