SG40T120UDB2

SG40T120UDB2 SIRECTIFIER


pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBB9BF8B6C95C080C7&compId=SG40T120UDB.pdf?ci_sign=5cae59c194c4f682046cdbb1022e7ca3be70b96d pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD095B36CB438BB80E1&compId=_Catalogue_2025-2027.pdf?ci_sign=0521c64f0236608145bd4af58e686dc01d33724b Виробник: SIRECTIFIER
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 280W; TO247AD
Mounting: THT
Case: TO247AD
Kind of package: tube
Turn-on time: 109ns
Gate charge: 230nC
Turn-off time: 338ns
Power dissipation: 280W
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Type of transistor: IGBT
Pulsed collector current: 180A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
на замовлення 16 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+238.72 грн
5+199.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SG40T120UDB2 SIRECTIFIER

Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 280W; TO247AD, Mounting: THT, Case: TO247AD, Kind of package: tube, Turn-on time: 109ns, Gate charge: 230nC, Turn-off time: 338ns, Power dissipation: 280W, Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 40A, Type of transistor: IGBT, Pulsed collector current: 180A, Collector-emitter voltage: 1.2kV, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції SG40T120UDB2 за ціною від 204.77 грн до 286.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SG40T120UDB2 SG40T120UDB2 Виробник : SIRECTIFIER pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBB9BF8B6C95C080C7&compId=SG40T120UDB.pdf?ci_sign=5cae59c194c4f682046cdbb1022e7ca3be70b96d pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD095B36CB438BB80E1&compId=_Catalogue_2025-2027.pdf?ci_sign=0521c64f0236608145bd4af58e686dc01d33724b Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 280W; TO247AD
Mounting: THT
Case: TO247AD
Kind of package: tube
Turn-on time: 109ns
Gate charge: 230nC
Turn-off time: 338ns
Power dissipation: 280W
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Type of transistor: IGBT
Pulsed collector current: 180A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+286.47 грн
5+248.42 грн
25+211.47 грн
60+204.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.