SGB02N120 Infineon Technologies
на замовлення 650 шт:
термін постачання 388-397 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 222.57 грн |
| 10+ | 197.54 грн |
| 25+ | 161.13 грн |
| 100+ | 137.57 грн |
| 250+ | 129.21 грн |
| 500+ | 113.25 грн |
| 1000+ | 98.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SGB02N120 Infineon Technologies
Category: SMD IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 2.8A; 62W; D2PAK, Type of transistor: IGBT, Collector-emitter voltage: 1.2kV, Collector current: 2.8A, Power dissipation: 62W, Case: D2PAK, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 9.6A, Mounting: SMD, Kind of package: reel, Turn-on time: 40ns, Turn-off time: 375ns.
Інші пропозиції SGB02N120
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SGB02N120 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
 Category: SMD IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 1.2kV; 2.8A; 62W; D2PAK Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 2.8A Power dissipation: 62W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 9.6A Mounting: SMD Kind of package: reel Turn-on time: 40ns Turn-off time: 375ns |
товару немає в наявності |