Продукція > STMICROELECTRONICS > SGT3D5R10MEB
SGT3D5R10MEB

SGT3D5R10MEB STMicroelectronics


Виробник: STMicroelectronics
GaN FETs 100 V, 2.9 mOhm typ., 201 A, e-mode PowerGaN transistor
на замовлення 325 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+300.55 грн
10+193.80 грн
3000+168.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 31-40 дні (днів)
Мінімальна партія: 2 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SGT3D5R10MEB STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - SGT3D5R10MEB - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 201 A, 3500 µohm, 7.6 nC, En-FCLGA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: TBA, Dauer-Drainstrom Id: 201A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Ladung, typ.: 7.6nC, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: En-FCLGA, Anzahl der Pins: 9Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm.

Інші пропозиції SGT3D5R10MEB

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SGT3D5R10MEB SGT3D5R10MEB STMICROELECTRONICS 4792196.pdf Description: STMICROELECTRONICS - SGT3D5R10MEB - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 201 A, 3500 µohm, 7.6 nC, En-FCLGA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: TBA
Dauer-Drainstrom Id: 201A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 7.6nC
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: En-FCLGA
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SGT3D5R10MEB 4792196.pdf
SGT3D5R10MEB
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SGT3D5R10MEB - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 201 A, 3500 µohm, 7.6 nC, En-FCLGA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: TBA
Dauer-Drainstrom Id: 201A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 7.6nC
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: En-FCLGA
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.