на замовлення 8670 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 42.76 грн |
| 10+ | 35.85 грн |
| 100+ | 21.76 грн |
| 500+ | 16.96 грн |
| 1000+ | 13.75 грн |
| 3000+ | 11.68 грн |
| 9000+ | 10.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI1900DL-T1-GE3 Vishay / Siliconix
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 630mA; Idm: 1A, Type of transistor: N-MOSFET x2, Technology: TrenchFET®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 0.63A, Pulsed drain current: 1A, Power dissipation: 0.3W, Case: SC70-6; SOT363, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 0.7Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 1.4nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 3000 шт.
Інші пропозиції SI1900DL-T1-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| SI1900DL-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 630mA; Idm: 1A Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.63A Pulsed drain current: 1A Power dissipation: 0.3W Case: SC70-6; SOT363 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.7Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||
| SI1900DL-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 630mA; Idm: 1A Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.63A Pulsed drain current: 1A Power dissipation: 0.3W Case: SC70-6; SOT363 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.7Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |