SI2305DST1E3
Виробник:
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI2305DST1E3
Description: MOSFET P-CH 8V 3.5A SOT23-3, Packaging: Cut Tape (CT), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 3.5A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Obsolete, Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1245 pF @ 4 V.
Інші пропозиції SI2305DST1E3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| SI2305DS-T1-E3-- | VISHAY |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SI2305DS-T1-E3-- |
Виробник: VISHAY
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)

