Продукція > VISHAY > SI2315BDS-T1-GE3.
SI2315BDS-T1-GE3.

SI2315BDS-T1-GE3. VISHAY

VISH-S-A0010924723-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI2315BDS-T1-GE3. - P CHANNEL MOSFET
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+92.73 грн
16+57.67 грн
25+50.96 грн
50+41.17 грн
100+32.17 грн
250+28.54 грн
500+24.83 грн
1000+24.00 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2315BDS-T1-GE3. VISHAY

Description: VISHAY - SI2315BDS-T1-GE3. - P CHANNEL MOSFET, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Surface Mount, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 750mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: P Channel, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm, directShipCharge: 25, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).