Продукція > VISHAY > SI2315BDS-T1-GE3.
SI2315BDS-T1-GE3.

SI2315BDS-T1-GE3. VISHAY

VISH-S-A0010924723-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI2315BDS-T1-GE3. - P CHANNEL MOSFET
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 0
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 0
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Compute Module 3+ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 5931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+69.98 грн
18+47.04 грн
25+42.09 грн
50+34.49 грн
100+27.66 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2315BDS-T1-GE3. VISHAY

Description: VISHAY - SI2315BDS-T1-GE3. - P CHANNEL MOSFET, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Surface Mount, Drain-Source-Spannung Vds: 0, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 0, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 0, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Compute Module 3+ Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: P Channel, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0, directShipCharge: 25, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).