SI3407DV-T1-GE3 . VISHAY
Виробник: VISHAYDescription: VISHAY - SI3407DV-T1-GE3 . - P CHANNEL MOSFET, -20V, -8A, TSOP-6
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - Unlimited
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 1173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 21+ | 39.37 грн |
| 31+ | 26.82 грн |
| 34+ | 24.51 грн |
| 50+ | 20.54 грн |
| 100+ | 16.98 грн |
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Технічний опис SI3407DV-T1-GE3 . VISHAY
Description: VISHAY - SI3407DV-T1-GE3 . - P CHANNEL MOSFET, -20V, -8A, TSOP-6, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Surface Mount, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - Unlimited, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: P Channel, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm, directShipCharge: 25, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).