SI3407DV-T1-GE3 . VISHAY
Виробник: VISHAYDescription: VISHAY - SI3407DV-T1-GE3 . - P CHANNEL MOSFET, -20V, -8A, TSOP-6
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 0
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Qualifikation: 0
MSL: MSL 1 - Unlimited
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Verlustleistung: 0
Bauform - Transistor: TSOP
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Produktpalette: 0
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Kanaltyp: P Channel
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 23+ | 33.83 грн |
| 27+ | 28.92 грн |
| 50+ | 25.98 грн |
| 100+ | 21.18 грн |
| 250+ | 17.54 грн |
| 500+ | 15.6 грн |
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Технічний опис SI3407DV-T1-GE3 . VISHAY
Description: VISHAY - SI3407DV-T1-GE3 . - P CHANNEL MOSFET, -20V, -8A, TSOP-6, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Surface Mount, Drain-Source-Spannung Vds: 0, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 0, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: 0, MSL: MSL 1 - Unlimited, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 0, euEccn: NLR, Verlustleistung: 0, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 0, Produktpalette: 0, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: P Channel, Rds(on)-Prüfspannung: 0, Betriebstemperatur, max.: 0, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0, directShipCharge: 25, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).