Технічний опис SI4426DYT1E3 VISHAY
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 8.5A; Idm: 40A, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: TrenchFET®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 20V, Drain current: 8.5A, Pulsed drain current: 40A, Power dissipation: 2.5W, Case: SO8, Gate-source voltage: ±12V, On-state resistance: 35mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 50nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 2500 шт.
Інші пропозиції SI4426DYT1E3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| SI4426DY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
 07+ SO-8 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| SI4426DY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
08+ SOP-8 |
на замовлення 136 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| SI4426DY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
09+ |
на замовлення 218 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| SI4426DY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
SO-8 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| SI4426DY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 8.5A; Idm: 40A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 8.5A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 35mΩ Mounting: SMD Gate charge: 50nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 2500 шт |
товар відсутній |
||
 |
SI4426DY-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 20V 6.5A 8SO |
товар відсутній |
|
|
|
SI4426DY-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 20V 6.5A 8SO |
товар відсутній |
|
 |
SI4426DY-T1-E3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 20V N-CHANNEL 2.5V |
товар відсутній |
|
| SI4426DY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 8.5A; Idm: 40A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 8.5A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 35mΩ Mounting: SMD Gate charge: 50nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |