Продукція > VISHAY > SI4426DYT1E3

SI4426DYT1E3 VISHAY

Name: SI4426DY-T1-E3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 135843-4
Price: 163075 UAH
Availability: BackOrder

Виробник: VISHAY

на замовлення 32500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SI4426DYT1E3 VISHAY

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 8.5A; Idm: 40A, Case: SO8, Drain-source voltage: 20V, Drain current: 8.5A, On-state resistance: 35mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 2.5W, Polarisation: unipolar, Kind of package: reel; tape, Gate charge: 50nC, Technology: TrenchFET®, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: ±12V, Pulsed drain current: 40A, Mounting: SMD, кількість в упаковці: 2500 шт.

Інші пропозиції SI4426DYT1E3

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
SI4426DY-T1-E3	Виробник : VISHAY	07+ SO-8	на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
SI4426DY-T1-E3	Виробник : VISHAY	08+ SOP-8	на замовлення 136 шт: термін постачання 14-28 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
SI4426DY-T1-E3	Виробник : VISHAY	09+	на замовлення 218 шт: термін постачання 14-28 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
SI4426DY-T1-E3	Виробник : VISHAY	SO-8	на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
SI4426DY-T1-E3	Виробник : VISHAY	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 8.5A; Idm: 40A Case: SO8 Drain-source voltage: 20V Drain current: 8.5A On-state resistance: 35mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 50nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 40A Mounting: SMD кількість в упаковці: 2500 шт	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
SI4426DY-T1-E3	Виробник : Vishay Siliconix	Description: MOSFET N-CH 20V 6.5A 8SO	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
SI4426DY-T1-E3	Виробник : Vishay Siliconix	Description: MOSFET N-CH 20V 6.5A 8SO	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
SI4426DY-T1-E3	Виробник : Vishay Semiconductors	MOSFET 20V N-CHANNEL 2.5V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
SI4426DY-T1-E3	Виробник : VISHAY	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 8.5A; Idm: 40A Case: SO8 Drain-source voltage: 20V Drain current: 8.5A On-state resistance: 35mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 50nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 40A Mounting: SMD	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.