Продукція > VISHAY > SI4483EDY-T1-E3

SI4483EDY-T1-E3 VISHAY

Виробник: VISHAY

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Технічний опис SI4483EDY-T1-E3 VISHAY

Description: MOSFET P-CH 30V 10A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 14A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V.

Інші пропозиції SI4483EDY-T1-E3

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
SI4483EDYT1E3	Виробник : VISHAY		на замовлення 27500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
SI4483EDY-T1-E3	Виробник : VISHAY	SOP-8 0250+	на замовлення 4850 шт: термін постачання 14-28 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
SI4483EDY-T1-E3	Виробник : Vishay	Trans MOSFET P-CH 30V 10A 8-Pin SOIC N T/R	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
SI4483EDY-T1-E3	Виробник : Vishay Siliconix	Description: MOSFET P-CH 30V 10A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
SI4483EDY-T1-E3	Виробник : Vishay Siliconix	Description: MOSFET P-CH 30V 10A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.