Продукція > VISHAY > SI4490DY-E3
SI4490DY-E3

SI4490DY-E3 VISHAY


pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C727DBC5F0469&compId=SI4490DY-E3.pdf?ci_sign=f612db75eeba4637e85f7093b3dabe03e0193e5b Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 3.2A; 3.1W; SO8
Case: SO8
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.2A
On-state resistance: 90mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 42nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4490DY-E3 VISHAY

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 3.2A; 3.1W; SO8, Case: SO8, Drain-source voltage: 200V, Drain current: 3.2A, On-state resistance: 90mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 3.1W, Polarisation: unipolar, Kind of package: reel; tape, Gate charge: 42nC, Technology: TrenchFET®, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: ±20V, Mounting: SMD, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції SI4490DY-E3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI4490DY-E3 SI4490DY-E3 Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C727DBC5F0469&compId=SI4490DY-E3.pdf?ci_sign=f612db75eeba4637e85f7093b3dabe03e0193e5b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 3.2A; 3.1W; SO8
Case: SO8
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.2A
On-state resistance: 90mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 42nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.