SI4564DY-VB VBsemi
Виробник: VBsemi
Transistor N/P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 12mOhm; 7,6A; 3W; -55°C~150°C; Substitute: SI4564DY-T1-GE3; SI4564DY-VB; SI4564DY SOIC8 VBSEMI TSI4564dy VBS
кількість в упаковці: 50 шт
Transistor N/P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 12mOhm; 7,6A; 3W; -55°C~150°C; Substitute: SI4564DY-T1-GE3; SI4564DY-VB; SI4564DY SOIC8 VBSEMI TSI4564dy VBS
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 24.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4564DY-VB VBsemi
Transistor N/P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 12mOhm; 7,6A; 3W; -55°C~150°C; Substitute: SI4564DY-T1-GE3; SI4564DY-VB; SI4564DY SOIC8 VBSEMI TSI4564dy VBS, кількість в упаковці: 50 шт.