Продукція > VISHAY > SI4569DY-T1-E3

SI4569DY-T1-E3 VISHAY



Виробник: VISHAY

на замовлення 94000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4569DY-T1-E3 VISHAY

Description: MOSFET N/P-CH 40V 7.6A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 3.1W, 3.2W, Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A, 7.9A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 855pF @ 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC.

Інші пропозиції SI4569DY-T1-E3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SI4569DYT1E3 VISHAY
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4569DYT1E3
Виробник: VISHAY
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.