Продукція > VISHAY > SI4913DYT1E3

SI4913DYT1E3 VISHAY


Виробник: VISHAY

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4913DYT1E3 VISHAY

Description: MOSFET 2P-CH 20V 7.1A 8-SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.1W, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 9.4A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 500µA, Supplier Device Package: 8-SOIC.

Інші пропозиції SI4913DYT1E3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI4913DY-T1-E3 Виробник : VISHAY 71997.pdf
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SI4913DY-T1-E3 SI4913DY-T1-E3 Виробник : Vishay 71997.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 7.1A 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній
SI4913DY-T1-E3 SI4913DY-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix 71997.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 7.1A 8-SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 9.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товар відсутній
SI4913DY-T1-E3 SI4913DY-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix 71997.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 7.1A 8-SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 9.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товар відсутній