Продукція > VISHAY > SI4933DY-T1-E3

SI4933DY-T1-E3 VISHAY


71980.pdf
Виробник: VISHAY

на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4933DY-T1-E3 VISHAY

Description: MOSFET 2P-CH 12V 7.4A 8-SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.1W, Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9.8A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 500µA, Supplier Device Package: 8-SOIC.

Інші пропозиції SI4933DY-T1-E3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI4933DYT1E3 VISHAY
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4933DYT1E3
Виробник: VISHAY
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.