Технічний опис SIHF840S-GE3 Vishay
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 500V, Drain current: 5.1A, Power dissipation: 125W, Case: D2PAK; TO263, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 0.85Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 63nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, Pulsed drain current: 32A, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції SIHF840S-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| SIHF840S-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 5.1A Power dissipation: 125W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: SMD Gate charge: 63nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 32A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||
 |
SIHF840S-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix | MOSFET |
товару немає в наявності |
|
| SIHF840S-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 5.1A Power dissipation: 125W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: SMD Gate charge: 63nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 32A |
товару немає в наявності |